Подробное описание товара
Характеристики товара
Отзывы о товаре
Технические характеристики
Номинальная выходная мощность
4х90+1х300 Вт (4 Ом)
Номинальная выходная мощность
4х120+1х500 Вт (2 Ом)
Диапазон частот (-3 дБ), Гц, не уже
10–50000
Коэффициент гармонических искажений, %, не более
0,05
Входная чувствительность, В
0,2 – 5
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее
100
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц
10–8000
Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц
10–8000
Пределы регулировки сабсоник-фильтра (12 дБ/окт), Гц
15 – 55
Регулировка усиления баса (45 Гц), дБ
0–12
Размеры, мм
523 x 198 x 41
Возможность подключения по мостовой схеме. Развитые фильтры (от 10 до 8 000 Гц на каждый канал, кроме сабвуферного). MOSFET транзисторы. Выносной регулятор баса с индикацией клиппа в комплекте. Регулируемый SUBSONIC-фильтр.
Технические характеристики
Номинальная выходная мощность
4х90+1х300 Вт (4 Ом)
Номинальная выходная мощность
4х120+1х500 Вт (2 Ом)
Диапазон частот (-3 дБ), Гц, не уже
10–50000
Коэффициент гармонических искажений, %, не более
0,05
Входная чувствительность, В
0,2 – 5
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее
100
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц
10–8000
Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц
10–8000
Пределы регулировки сабсоник-фильтра (12 дБ/окт), Гц
15 – 55
Регулировка усиления баса (45 Гц), дБ
0–12
Размеры, мм
523 x 198 x 41
Возможность подключения по мостовой схеме. Развитые фильтры (от 10 до 8 000 Гц на каждый канал, кроме сабвуферного). MOSFET транзисторы. Выносной регулятор баса с индикацией клиппа в комплекте. Регулируемый SUBSONIC-фильтр.
153003, г. Иваново, ул. Рабфаковская, 17
Пн-Вс с 9:00 до 21:00
153009, г. Иваново, ул. Лежневская, д.181а
Пн-Пт с 8:00 до 21:00, Сб-Вс с 9:00 до 21:00
153000, г. Иваново, ул. Красногвардейская, д.13/7
Пн-Пт с 9:00 до 21:00, Сб-Вс с 9:00 до 21:00
153038, г. Иваново, ул. Новосельская, д.4а
Пн-Пт с 9:00 до 21:00, Сб-Вс с 9:00 до 21:00